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PT481E00000F
■ Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature *1
Symbol
V CEO
V ECO
I C
P C
Topr
Tstg
Tsol
Rating
35
6
50
75
-25 to +85
-40 to +85
260
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
*
1 5 s (MAX.) no closer than 1.4 mm from resin edge.
■ Electro-optical Charactertistics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector current
Dark current
Symbol
I C
I CEO
Conditions *1
Ee = 0.1 mW/cm 2 , V CE = 2 V
Ee = 0, V CE = 10 V
MIN.
1.5
–
TYP.
10
1.0
MAX.
25
1000
Unit
mA
nA
Collector-emitter saturation voltage
V CE (sat)
Ee = 1
mW/cm 2 ,
Ic = 2.5 mA
–
0.7
1.0
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-collector breakdown voltage
Peak sensitivity wavelength
Response time (Rise)
Response time (Fall)
BV CEO
BV ECO
λ p
tr
tf
I C = 0.1 mA, Ee = 0
I E = 0.01 mA, Ee = 0
–
V CE = 2 V, I C = 10 mA,
R L = 100 Ω
35
6
–
–
–
–
–
800
80
70
–
–
–
–
–
V
V
nm
μs
μs
*
1 Ee: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
8 0
75
70
60
50
40
30
20
15
Fig. 2 Spectral Sensitivity (TYP.)
Ta = 25°C
100
90
8 0
70
60
50
40
30
20
10
10
0
400
500
600
700
8 00
900
1000
1100
0
-25
0
25
50
75 8 5
100
W a v elength λ (nm)
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Sheet No.: D1-A01301EN
3
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